設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- その他パワーデバイス前工程プロセス開発
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年03月03日
求人AIによる要約
半導体業界での設計職では、IGBTやSiC-MOS、高圧IC半導体デバイスの設計に従事します。具体的には、パワーMOSやアナログICのディスクリート製品を手がけ、チップデバイス、回路設計、プロセス設計を行います。マスクデータの作成やチップテスト仕様の策定も重要な業務です。さらに、パワーモジュール構造の設計およびシミュレーションを通じて、顧客のニーズに応じたターゲットスペックやアプリケーション資料を作成し、顧客との密接な打合せを行い、業界に貢献する役割を担います。
【おすすめポイント】
・先端技術に触れながらキャリアを築ける
・顧客との直接的な関わりでスキルを向上
・多様な設計業務を経験し、専門性を深められる
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OUTLINE
その他
パワーデバイス
前工程プロセス開発
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成
パワーモジュール構造、プロセス設計、シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ
<必須となる資格・スキル・経験>
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
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