D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア◆/WEB面接可
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス材料開発エンジニア
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年02月28日
求人AIによる要約
当社は、次世代のGaNパワー半導体の研究開発を推進しています。最先端のデバイス開発やプロセスインテグレーションに関わり、CO2削減や省エネルギーに貢献することを目指しています。特に、化合物材料（SiC/GaN）のデバイス需要が高まる中、エピタキシャルプロセスの開発を兵庫で進行中です。最前線の技術領域で挑戦したいエンジニアの方、自身のスキルを次のステージに進める絶好のチャンスです。ぜひご応募ください！
【おすすめポイント】
・最先端のGaNパワー半導体技術に関与できる
・CO2削減という社会的課題に貢献するプロジェクト
・東京と兵庫のコラボレーションによる多様な開発環境
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
材料開発エンジニア
当社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、川崎にてデバイス開発とプロセスインテグレーションに取り組んでおります。※エピタキシャルプロセスについては、兵庫にて研究開発中です。株式会社東芝の研究開発センターや各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。【募集背景】CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するパワー半導体として、Siに変わる化合物材料（SiC/GaN）デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料を開発する人材を募集。
［配属先情報］
仕事の変更範囲：当社業務全般
［学歴］高専 大学 大学院
［転勤］当面無
［賃金形態］月給制
［月給］210000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］無
［年間休日］127日 内訳：土日祝 その他（週休二日制/年末年始、特別休日）
［有給休暇］ ～最高18日 入社月により変動、次年度以降最高24日付与
［寮社宅］有 ※入居には諸条件があります。
［その他制度］企業年金、社員持株会、カフェテリアブラン制度 他
COMPANY
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