光デバイス製造技術 【横浜/山梨】化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術
- ウェハ材料前工程プロセス開発成膜装置
- 神奈川県 山梨県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：住友電工デバイス・イノベーション
- 掲載日：2025年02月28日
求人AIによる要約
光デバイス製造技術の分野で、化合物半導体エピタキシャル結晶成長に特化した製造技術を担当するポジションです。求める人材には、最新の製造プロセスに深い理解を有し、高品質な光デバイスの製造に向けた技術革新に貢献する意欲が求められます。この職務では、エピタキシャル成長プロセスの最適化と効率向上を図ることがメインとなり、魅力的な製品開発の中核を担います。成長著しいこの業界で、新たなキャリアを築きながら、最新技術に触れられる貴重な機会を手にしてください。
【おすすめポイント】
・化合物半導体技術に関与し、高度な専門知識を活かせる。
・製造プロセスの最適化に携わり、技術革新に貢献できる。
・急成長中の業界でのキャリアアップのチャンス。
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OUTLINE
ウェハ材料
前工程プロセス開発
成膜装置
・化合物半導体エピタキシャル結晶成長に関する製造技術担当
・新製品、新規プロセス技術などの研究・開発業務は対象外
＜必須要件＞
・募集職種に対して３年以上の実務経験があり、かつ、直近１年間以上の他業務等での空白期間がないこと。
・MOVPE装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方。
＜語学力＞
TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方歓迎。
・募集職種に対して３年以上の実務経験があり、かつ、直近１年間以上の他業務等での空白期間がないこと。
・MOVPE装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長技術および関連する半導体プロセス技術に関するスキルをお持ちの方。
＜語学力＞
TOEIC 600点以上、または同等の英会話能力のある方歓迎。
横浜本社/山梨事業所
■給与：経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
想定年収：450万円～800万円
月給 ：28万円～40万円
■勤務時間
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
8：30～17：15
（フレックスタイム制あり 標準労働時間：7時間45分）
※コアタイムは11:00から14:00
■休日・休暇
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
年間休日120日以上、完全週休2日制、年末年始休暇
年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）
積立休暇
リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）
計画有休制度（個人計画有休5日）、半日有給休暇、時間単位有給休暇ほか
※初年度は入社月により異なります。
■福利厚生
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
企業年金制度、持株会(住友電気工業株式会社)、財形貯蓄制度(一般、住宅、年金)
COMPANY
会社名：住友電工デバイス・イノベーション
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