設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
- その他パワーデバイスプロセス技術研究者
- 東京都
- 年収300万円未満年収300万～500万円年収500万～700万円
- 提供元：ミネベアパワーデバイス
- 掲載日：2025年02月28日
求人AIによる要約
半導体設計職の魅力を感じるチャンスです。IGBTやSiC-MOS、高圧ICデバイスの設計に携わり、次世代のパワーMOSやアナログIC、ディスクリート製品を生み出す仕事です。チップデバイスやプロセス設計、回路設計、マスクデータ作成において、あなたのアイデアが実際の製品へとカタチになります。顧客に向けたアプリケーション資料の作成や打合せを通じて、技術力を活かし、パワーモジュール構造やシミュレーションによって市場のニーズに応えましょう。このポジションで、キャリアを一歩前進させるチャンスを掴んでください。
【おすすめポイント】
・次世代半導体デバイスの設計をリード。
・顧客との密なコミュニケーションで実用的な製品を開発。
・プロセス設計やシミュレーションを通じた技術力の向上。
この求人に応募する
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
その他
パワーデバイス
プロセス技術研究者
設計職（IGBT、SiC-MOS、高圧IC半導体デバイス、回路、プロセス設計）
パワーMOS、アナログIC、ディスクリート製品設計
チップデバイス、プロセス、回路設計、マスクデータ、チップテスト仕様作成
パワーモジュール構造、プロセス設計、シミュレーション
ターゲットスペック、顧客PR、アプリケーション資料作成、顧客打合せ
<必須となる資格・スキル・経験>
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
シミュレーションを用いたデバイス、モジュールの構造とプロセス設計経験者（電界、拡散、応力、熱解析）
ゲートドライバ設計経験者
顧客向け資料作成、顧客交渉経験者
TOEIC500点以上が望ましい
東京都港区
COMPANY
会社名：ミネベアパワーデバイス
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。