ウェハ材料

前工程プロセス開発

後工程プロセス開発

①GaN HEMTのウエハプロセス開発。
②多層配線（電極材料、層間絶縁膜、平坦化）技術開発。
③放熱・実装に関するプロセス開発（基板研削、ビアやチップ分離加工、
　裏面金属形成等の加工技術）
④受動素子（キャパシタ、インダクタ、抵抗）形成プロセス開発
＊保有スキルにより業務を振り分け可能。


＜変更の範囲＞
　総務、人事、経理、営業、事業計画等の企画・調整。調査等の業務、
　設計、生産技術、営業技術、研究開発等の専門技術的業務

①応募資格（資格/専門知識/能力）　※必須要件（いづれか）
・各種半導体ウェーハプロセス研究・開発経験者
・プロセス装置の選定/導入/立上げ経験者
・ステッパー、ドライエッチャー、CVDなどを用いたウエハプロセス実務経験者
・高周波増幅器(GHzオーダ)のRF測定スキル・電磁界解析による設計スキル

②語学力（英語/その他言語等）
・TOEIC 500点以上、または同等の英会話能力

山梨県

＜変更の範囲＞
当社国内外各事業所(関連会社及び関係する諸団体含む)

■契約期間：期間の定めなし(正社員)

■試用期間：あり(3カ月)

■勤務時間：
　　8:30 ～ 17：15 （標準労働時間 7時間45分、休憩 60分）
　　※フレックスタイム制あり(コアタイムは部門により異なる)

■時間外・休日・深夜労働に対する特別の割増率：あり
　　主席以上には深夜割り増しを除いて基準外賃金は支給しない。

■休日・休暇：
　　年間休日120日以上(完全週休2日制、年末年始休暇、夏季、GWなど）、
　　年次有給休暇20日（翌年繰越は最高20日）、
　　積立休暇 （最高50日まで有給休暇を積立可能）、
　　リフレッシュ休暇、5日連続有給休暇、特別休暇（慶弔休暇など）、
　　計画有休制度（個人計画有休5日、部門計画有休2日）、
　　半日有給休暇、時間単位有給休暇 ほか
　　※初年度は入社月により異なります。

■賃金：
　　経験、能力等を考慮し、当社規定により支給いたします。

　　初任給：大卒　　月給27万1000円（2024年4月実績）
　　　　　　修士了　月給28万8200円（2024年4月実績）
　　
　　昇給：年1回 （4月）
　　賞与：年2回 （6月・12月）

■諸手当：
　　通勤手当、残業手当、家族手当、
　　家賃補助手当（条件により家賃の最大50％を支給（上限額あり））

■加入保険：
　　健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険

■福利厚生：
　　財形住宅貯蓄、退職年金、企業年金基金、共済会、持株会、
　　カフェテリアプラン制度（自主選択型福利厚生制度）、
　　育児休業（満3歳到達まで）、短時間勤務（小学6年生を終了するまで）、
　　介護休業（2年以内）など