D3【第二新卒/兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約
半導体業界の最前線で活躍したい方必見！当社では、GaNパワーデバイス事業の早期立ち上げと拡大を推進するプロセス開発エンジニアを募集しています。具体的には、次世代SiCデバイスのデザインからプロセスインテグレーション、ウェーハ製造に至るまで多岐にわたる業務を担当していただきます。成長著しい分野での卓越した技術力を活かし、先端技術の創造に挑戦する絶好のチャンスです。次世代デバイスの開発という重要な役割を担いながら、自らのキャリアを大きくアップデートしませんか？
【おすすめポイント】
・GaN/SiCデバイス開発に関与し、先端技術に触れる機会
・幅広いプロセスの経験でスキルアップを図れる環境
・成長企業での活躍によりキャリアの飛躍が可能
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
・学生時代の専攻が材料工学、電気電子、化学などものづくりに取り組まれた方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1000万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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