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2025年5月8日更新

東芝デバイス＆ストレージ

D3【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア（GaNパワー）

東芝デバイス＆ストレージ
  • デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
  • 神奈川県
  • 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
  • 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
  • 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約

半導体業界の最前線で、革新を共にするチャンスです。私たちは、次世代のGaNパワー半導体の研究開発を推進しており、株式会社東芝の研究開発センターと密接に連携しています。あなたのスキルを活かしながら、デバイス開発やプロセスインテグレーションに貢献できる絶好の機会。最先端技術を駆使し、新しい未来を形作るエンジニアの仲間として、一緒に成長していきませんか。

【おすすめポイント】
・次世代GaNパワー半導体の研究開発に携われる
・デバイス開発とプロセスインテグレーションの両面に関与
・最先端技術を学び、成長できる環境が整っている

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OUTLINE

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。
株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。
川崎：デバイス開発とプロセスインテグレーション
姫路：エピタキシャルプロセス、プロセス開発

【尚可】
・GaNに関する知見

212-8583  神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地

年収 450万円 〜 1000万円

８：３０～１７：１５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

COMPANY

会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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