D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
- 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約
半導体業界でのキャリアを築くチャンスです！今後の成長が期待されるGaNパワーデバイス事業において、製品・プロセス・材料の開発をリードするプロセス開発エンジニアを募集しています。また、次世代SiCデバイスのデザインやプロセスインテグレーション、ウェーハ製造プロセスの開発にも携わるチャンスがあります。最先端技術に挑戦し、業界の先頭を行くプロフェッショナルとして成長できる環境が整っています。この機会に新たな一歩を踏み出しませんか？
【おすすめポイント】
・GaNパワーデバイスと次世代SiCデバイスの開発に関与
・業界の最前線でのプロセス開発経験を積める
・成長中の分野でのキャリア構築のチャンス
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
前工程プロセス開発
その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。
【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方
671-1595 兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 姫路半導体工場
年収 450万円 〜 1000万円
８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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