D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス製品評価エンジニア
- 福岡県
- 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:東芝デバイス&ストレージ
- 掲載日:2025年02月27日
求人AIによる要約
半導体業界の先端を担うディスクリート半導体の製品開発エンジニアとして、IGBTやパワーMOSFET、アイソレーションデバイスなど多様なデバイスの設計・シミュレーション、試作・性能評価を行います。量産立上げ業務にも関与し、実践的なスキルを磨ける環境が整っています。勤務地は静かな自然に囲まれた地域から、都市圏の利便性まで多彩。プロフェッショナルなチームと共に技術の最前線で活躍する機会があなたを待っています。自らの手で未来の技術を創り上げる一員になりませんか?
【おすすめポイント】
・多様なデバイスに関わる経験でスキル向上が期待できる
・自然環境と都市利便性の両面を持つ勤務地
・プロフェッショナルなチームでの協働による成長機会
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
製品評価エンジニア
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
③パワーMOSFET(石川県能美市)
④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
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