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東芝デバイス&ストレージ

D1【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

東芝デバイス&ストレージ
  • デバイス開発エンジニアパワーデバイス製品評価エンジニア
  • 福岡県
  • 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
  • 提供元:東芝デバイス&ストレージ
  • 掲載日:2025年02月27日

求人AIによる要約

半導体業界の先端を担うディスクリート半導体の製品開発エンジニアとして、IGBTやパワーMOSFET、アイソレーションデバイスなど多様なデバイスの設計・シミュレーション、試作・性能評価を行います。量産立上げ業務にも関与し、実践的なスキルを磨ける環境が整っています。勤務地は静かな自然に囲まれた地域から、都市圏の利便性まで多彩。プロフェッショナルなチームと共に技術の最前線で活躍する機会があなたを待っています。自らの手で未来の技術を創り上げる一員になりませんか?

【おすすめポイント】
・多様なデバイスに関わる経験でスキル向上が期待できる
・自然環境と都市利便性の両面を持つ勤務地
・プロフェッショナルなチームでの協働による成長機会

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OUTLINE

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

製品評価エンジニア

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
 対象デバイスは次のとおり
  ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
  ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
  ③パワーMOSFET(石川県能美市)
  ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町) 
  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地

【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

828-0023  福岡県豊前市沓川760番地 東芝デバイス&ストレージ株式会社 豊前分室

年収 450万円 〜 1000万円

8:00~16:45(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

COMPANY

会社名:東芝デバイス&ストレージ
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