D1【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア
- デバイス開発エンジニアパワーデバイス製品評価エンジニア
- 石川県
- 年収300万~500万円年収500万~700万円年収700万~1000万円
- 提供元:東芝デバイス&ストレージ
- 掲載日:2025年02月27日
求人AIによる要約
ディスクリート半導体製品開発エンジニアとして、業界の先端を担うチャンスです。IGBTやパワーモジュール、パワーMOSFETなど、高性能デバイスの設計からシミュレーション、試作、性能評価、解析を手掛け、量産立上げにも関与します。あなたのアイデアが実際のプロダクトに結実する瞬間を味わえます。勤務地も多様で、福岡や兵庫、神奈川での新しいキャリアを積む絶好の機会です。技術者としての成長を求めるあなたに最適な環境が整っています。
【おすすめポイント】
・最先端のディスクリートデバイス開発に関与
・多様な勤務地でのキャリア構築
・デザインから量産までトータルに携われる機会
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
製品評価エンジニア
ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、
・デバイス設計・シミュレーション(TCAD)
・試作・性能評価・解析
・量産立上業務
対象デバイスは次のとおり
①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市)
②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市)
③パワーMOSFET(石川県能美市)
④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)
⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地
【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
923-1293 石川県能美市岩内町1-1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 加賀分室
年収 450万円 〜 1000万円
8:15~17:00(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
COMPANY
会社名:東芝デバイス&ストレージ
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