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2025年5月8日更新

東芝デバイス＆ストレージ

P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

東芝デバイス＆ストレージ
  • ウェハ材料パワーデバイス前工程プロセス開発
  • 石川県
  • 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
  • 提供元：東芝デバイス＆ストレージ
  • 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約

当社は、加賀東芝を基盤に200mmウエハー製造ラインの能力を向上させてきました。現在、新たに300mmウエハー対応の製造ラインをクリーンルーム内に構築し、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力をさらに強化します。これにより、最先端の技術に携わるチャンスが広がり、半導体業界でのキャリアを築く絶好の機会となります。あなたの技術力を活かし、業界の未来を共に切り開いていきませんか？

【おすすめポイント】
・最先端の300mmウエハー製造技術に関与するチャンス
・低耐圧MOSFETやIGBTの製造における専門知識が身につく
・施工プロジェクトを通じて、業界内でのキャリアアップが可能

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OUTLINE

ウェハ材料

パワーデバイス

前工程プロセス開発

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

年収 450万円 〜 1000万円

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

COMPANY

会社名：東芝デバイス＆ストレージ
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