【募集職種②】SiGe・Siphoデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 富山県
- その他
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約
SiGe・Siphoデバイス開発エンジニアとして、最先端のRFデバイス（特にSiGe BiCMOS）とSi Photonicsのデバイス開発に携わります。これに加え、これらのデバイス開発のためのウエーハ作製やインテグレーションを管理する役割です。あなたの技術力が、革新的な半導体ソリューションの実現に直結します。挑戦的なプロジェクトに参加し、ダイナミックなチームと共に成長する機会をお見逃しなく。
【おすすめポイント】
・最先端のRFデバイスとSi Photonicsに関する実践的な経験を積む
・デバイス開発からウエーハ作製まで、幅広い技術スキルを向上
・革新を推進するチームでの共同作業とキャリア成長の機会
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
RFデバイス（主にSiGe BiCMOS）並びにSi Photonicsのデバイス開発、もしくは、それら開発ウエーハの作製を取り仕切るインテグレーションを行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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