【募集職種①】ＲＦデバイス開発エンジニア
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
- 富山県
- その他
- 提供元：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
- 掲載日：2025年02月27日
求人AIによる要約
RFデバイス開発エンジニアとして、最先端のRF SOI技術を駆使し、プロセス技術やTCAD技術に基づく開発を担当していただきます。信頼性技術やIP設計、PDK関連技術を持つ部署と連携し、チームの一員として革新的なRFデバイスの開発に貢献。多様な技術に関わる機会があり、自身のスキルを大きく向上させるチャンスです。半導体業界の最前線で、未来のテクノロジーを一緒に創造しましょう。
【おすすめポイント】
・最先端のRF SOI技術に関与し、専門性を深めることができる
・多部門との連携を通じて、幅広い技術に触れる経験
・革新的なプロジェクトに参加し、キャリアの成長が期待できる
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
プロセス技術研究者
RFデバイス（主にRF SOI）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術・IP設計・PDK関連技術などの関連部署と連携して行っていただきます。
・半導体製造の知識、経験
富山県魚津市東山800（最寄駅：あいの風とやま鉄道 魚津駅よりタクシー15分）
給与形態：月給制 or 年俸制（給与改定サイクル：年１回）
勤務時間：８：３０～１７：１５（休憩４５分）
年間休日日数：127日（2024年実績） ／ 完全週休二日(土日)、祝日、夏季、年末年始、他
確定拠出年金制度あり／食堂・売店完備／制服貸与／各種有給休暇制度多数
COMPANY
会社名：タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社(TPSCo)
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