パワーデバイス

前工程プロセス開発

後工程プロセス開発

【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。【】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝・開発技術の権利化【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます下記URLもぜひご確認ください。■DRIVEN　BASEhttps://www.denso.com/jp/ja/driven-base/tech-design/power-semiconductor/■半導体戦略説明会資料https://www.denso.com/jp/ja/-/media/global/about-us/investors/business-briefing/20220601_semicon_material_jp.pdf■「半導体の供給確保計画」が経済産業省より認定https://www.denso.com/jp/ja/news/newsroom/2024/20241129-01/

＜MUST要件＞・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ　 以下いずれかのご経験をお持ちの方・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方＜WANT要件＞下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識・パワー半導体材料、単結晶に関する知識・技術開発における推進リーダ経験・海外企業との折衝経験・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）

愛知 ＞先端研究所（愛知県日進市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など