デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

電動車向けインバータ用パワー半導体（SiCーMOSFET）のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価・パワーデバイスの企画、構造設計、レイアウト設計・パワーデバイス及びプロセスシミュレーション設計、技術動向調査・パワーデバイスのプロセスインテグレーションおよびプロセス加工技術の開発・パワーデバイスの構造、プロセス加工技術の要素技術開発・試作品の評価、分析、解析

＜MUST要件＞・半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験　（研究開発、量産経験は問いません）＜WANT要件＞・パワー半導体に関する知識を有すること　・半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）・プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など