デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

【業務の概要】電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOS＆Si-IGBT）の企画/開発/設計業務　・車載用パワー半導体素子の製品企画/仕様検討、技術動向調査　・プロセス・デバイスシミュレーション設計、素子試作評価、分析解析　・プロセスインテグレーション、プロセス加工技術　・Si/SiC半導体ウェハ開発（エピ、結晶成長、他）　・素子検査、評価技術開発

＜MUST要件＞・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験または知識を有すること　※パワー半導体の経験有無は問いません。上記経験がなくても、学習意欲のある方は大歓迎です＜WANT要件＞・パワー半導体に関する知識を有すること　・半導体素子の設計やプロセスインテグレーション、ウエハ加工技術の開発経験（目安：3年以上）を有すること・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダー経験者・海外顧客関係者（ネイティブ）と議論および仕様書や各種レポートを理解できる英語力

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

月給25万4000円以上
※経験・年齢を考慮して決定致します。

＜直近の初任給実績＞
大卒・高専卒（専攻科）／月給25万4000円
修士了／月給27万6000円
博士卒／月給31万0000円

＜年収例＞
29歳（大卒入社7年目）640万円（残業代含まず）
32歳（大卒入社10年目）740万円（残業代含まず）
35歳（大卒入社13年目）850万円（残業代含まず）
40歳（大卒入社18年目）1250万円※管理職の場合

フレックスタイム制/標準労働時間8h
コアタイム10時10分から14時25分（東京エリア 10時30分から14時45分、製作所 10時10分から15時25分）
※管理職については労働基準法第41条2号により労働基準法上の労働時間、休憩、休日に関する適用を受けないものとします。

休暇週休2日制（土曜日・日曜日）
GW・夏季・年末年始各10日程
年間休日約120日
年次有給休暇、特別休暇など

選択型福利厚生制度
個別制度/住宅資金貸付、財形貯蓄、持ち株制度など
施設/保養所、研修センター、各種文化・体育施設など