P1【第二新卒/石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーション
- デバイス開発エンジニアパワーデバイスプロセス技術研究者
- 石川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年02月18日
求人AIによる要約
半導体業界の新たな挑戦に参加しませんか？当社では、パワー半導体デバイス（NMOSFET、IGBT）の新規開発を進めており、各製品に対して6～8名のチームを編成します。主な業務には半導体プロセスインテグレーション、デバイス技術の評価分析、さらにはTCADを用いたプロセスシミュレーションなどが含まれます。200mmウエハーに続き、300mmウエハー対応の製造ラインを新たに設置するため、技術者を募集します。あなたの技術力と創造力を活かして、新しい未来を共に築きましょう！
【おすすめポイント】
・パワー半導体デバイスの新規開発に携われるチャンス
・チームでの協力によるプロセスインテグレーション技術の習得
・最新設備での実践を通じ、業界の最前線で働くことができる
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OUTLINE
デバイス開発エンジニア
パワーデバイス
プロセス技術研究者
MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6～8名のチームを組み、以下業務をお任せします。具体的には、■半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術■評価分析■プロセスシミュレーション（TCAD）【募集背景】当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強すること伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。変更範囲：当社業務全般
【尚可】
・半導体やディスプレイメーカーのプロセスインテグレーション開発、あるいは、半導体のデバイス開発に従事した経験をお持ちの方
・欠陥検査装置の経験者または知識をお持ちの方
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方
［転勤］当面無
［勤務地備考］将来的には全国の拠点/海外への 転勤可能性あり。
［賃金形態］月給制
［月給］210000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］無
［年間休日］127日 内訳：土日祝 その他（夏季、年末年始、ＧＷなど）
［有給休暇］ ～最高18日 入社月により変動、次年度以降最高24日付与
［寮社宅］有 ※入居には諸条件があります。
［その他制度］企業年金、社員持株会、カフェテリアプラン制度 他
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