P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア◆WEB面接可
- パワーデバイス前工程プロセス開発成膜装置
- 石川県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年02月18日
求人AIによる要約
半導体業界でのキャリアを目指す方に最適な求人です。パワー半導体デバイスの開発を担うユニットプロセス開発エンジニアを募集。成膜プロセスやリソグラフィ、エッチング、イオン注入など多様なプロセスに関わり、専門チームの一員として技術革新を推進できます。経験に基づいて最適な工程をお任せし、あなたのキャリアをサポートします。新たな製造ラインの構築に向けた重要なポジションで、成長が期待される低耐圧MOSFETやIGBTの分野で活躍しませんか？
【おすすめポイント】
・最先端のパワー半導体技術に関わるチャンス
・多様なプロセスに挑戦できる環境
・キャリア成長をサポートする柔軟なプロジェクト参画
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OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
成膜装置
MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発をお任せします。各工程毎にチーム編成をして、プロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。各チームで開発を牽引頂ける人財を求めており、ご経験を踏まえてお任せする工程を相談します。【募集背景】需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、及び新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。
［配属先情報］
仕事内容の変更範囲：当社業務全般
■半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
【尚可】
・半導体のプロセス・インテグレーション開発に従事された経験がある方
・半導体のデバイス開発に従事された経験がある方
・欠陥検査装置の経験または知識がある方
・TCADシミュレーションに関する知識がある方
［転勤］当面無
［勤務地備考］将来的には全国の拠点/海外への 転勤可能性あり。
［賃金形態］月給制
［月給］210000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］無
［年間休日］127日 内訳：土日祝 その他（夏季、年末年始、ＧＷなど）
［有給休暇］ ～最高18日 入社月により変動、次年度以降最高24日付与
［寮社宅］有 ※入居には諸条件があります。
［その他制度］企業年金、社員持株会、カフェテリアブラン制度 他
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