デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

製品評価エンジニア

ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する以下の業務をお任せします。具体的には、下記業務になります。■デバイス設計・シミュレーション(TCAD)　■試作・性能評価・解析■量産立上業務【対象デバイス】■IGBT、ダイオード、パワーモジュール■パワーMOSFET【募集背景】当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人財を求めています。変更範囲：当社業務全般

【必須】下記いずれかのご経験がある方
デバイス設計／プロセス技術／生産技術／パッケージ技術／材料開発／品質保証／評価・解析／製品テスト
【尚可】
・ディスクリート半導体デバイス開発業務の経験のある方。
・半導体デバイスに関する知識をお持ちの方。
・TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。

加賀分室（石川県能美市）
［転勤］当面無

［勤務地備考］将来的には全国の拠点/海外への 転勤可能性あり。

［想定年収］450万円～1000万円

［賃金形態］月給制

［月給］210000円～

［所定労働時間］7時間45分　［休憩］60分
［フレックスタイム制］有［コアタイム］無

完全週休2日制


［年間休日］127日　内訳：土日祝　その他（夏季、年末年始、ＧＷなど）

［有給休暇］　～最高18日　入社月により変動、次年度以降最高24日付与

［退職金］有［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］有　※入居には諸条件があります。

［その他制度］企業年金、社員持株会、カフェテリアブラン制度　他