D2【兵庫】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア（SiC）◆WEB面接可
- ウェハ材料パワーデバイス前工程プロセス開発
- 兵庫県
- 年収300万～500万円年収500万～700万円年収700万～1000万円
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年02月18日
求人AIによる要約
半導体業界の最前線で活躍するチャンスです！当社では、SiCやGaNなどの化合物半導体に関する製品開発およびプロセス開発を担当するエンジニアを募集中。研究開発の拠点では、パワーモジュール開発、デバイス設計、製造プロセスにいたるまでの幅広い業務を経験でき、PDCAを迅速に回すことが可能です。カーボンニュートラル社会の実現に向け、大きな需要が見込まれるSiCの新たな可能性に挑戦したい方はぜひご応募ください。
【おすすめポイント】
・最先端技術を取り扱うチャンス
・幅広い業務経験が可能
・カーボンニュートラルに貢献する意義ある仕事
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OUTLINE
ウェハ材料
パワーデバイス
前工程プロセス開発
配属部門ではSiCやGaNなどの化合物半導体の研究開発を行っています。SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験し、PDCAを回しやすい環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組みたい方は是非ご応募下さい。【募集背景】カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれる。産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるSiCの製品・ウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置を開発する人材を募集。
［配属先情報］
仕事の変更範囲：当社業務全般
【歓迎】■パワーモジュールの設計・開発に従事された経験のある方
■半導体デバイス設計／プロセス技術の知見をお持ちの方
■パワーデバイス(SiC等)のチップ設計、開発に従事された経験のある方■TCADシミュレーションに関する知識をお持ちの方。
■半導体製造装置メーカで装置開発、あるいはプロセス開発に従事された経験のある方
■半導体ウェハメーカでプロセス開発(特にエピタキシャル成長プロセス)または装置開発に従事された経験のある方
［転勤］当面無
［勤務地備考］将来的には全国の拠点/海外への 転勤可能性あり。
［賃金形態］月給制
［月給］210000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］無
［年間休日］127日 内訳：土日祝 その他（週休二日制/年末年始、特別休日）
［有給休暇］ ～最高18日 入社月により変動、次年度以降最高24日付与
［寮社宅］有 ※入居には諸条件があります。
［その他制度］企業年金、社員持株会、カフェテリアブラン制度 他
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