デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

【東京】研究開発職（次世代半導体の研究開発）　※福利厚生充実/大手総合電機メーカー

～1923年創業・売上高1兆円規模の大手総合電機メーカー／平均勤続年数20.4年など就労環境良好&福利厚生充実～
■業務概要：
SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。
【業務詳細】
・物性解析：電気的特性評価、分析的評価、計算技術等を用いて、材料物性に基づいたデバイス動作に関わるメカニズム解明
・プロセス開発：デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性にもとづいて検討し、改善指針を構築
・デバイス設計・試作・評価：SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価（電気特性、動作解析、信頼性評価等）
【変更の範囲：会社の定める業務】

■就業環境
・月平均時間外労働は10～20時間程度。年度の初めに年間の休暇取得予定を計画し、部門内で共有することで休暇を取りやすい雰囲気が御座います。
・リモートワーク:制度として、月10日まで利用可能です。
■同社の特徴・魅力：
◇同社は1923年に「古河電気工業株式会社」とドイツの「シーメンス」社が資本・業務提携を行い設立されました。地熱発電設備、電気自動車向けパワー半導体、環境保全やエネルギー効率を重視した様々な社会インフラ設備など、エネルギー関連事業を軸に地球環境に貢献できる企業としてグローバルにビジネスを展開している総合電機メーカーです。売上高1兆円規模、海外売上比率は24.5%を誇り、100を超える国で同社の製品が使われています。地熱発電設備や大容量整流器で世界No.1シェア、缶・PET自動販売機で国内及び中国でNo.1シェア等、他にもトップクラスシェア製品を多数有しています。

変更の範囲：本文参照

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須要件：下記いずれかに該当をする方
・半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験
・半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験
・基本的な半導体プロセスができパワーデバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を有する
・SiC, GaNパワーデバイスの設計、試作、評価等の開発経験

＜勤務地詳細＞
東京工場
住所：東京都日野市富士町1番地
勤務地最寄駅：JR中央線／豊田駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：本文参照

＜勤務地補足＞
【変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む）】

＜転勤＞
当面なし

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：45分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～17:30
＜その他就業時間補足＞
月平均時間外労働は10~20時間程度です。