ウェハ材料

デバイス開発エンジニア

材料開発エンジニア

放射線検出器用CdTeの単結晶成長と関連する技術の開発単結晶成長法の開発・改善多結晶および溶媒の合成と品質改善熱処理技術の開発・改良結晶評価および評価方法の開発デバイス特性の評価と改善既存技術の更なる改良と新技術の開発・導入

【必須】物理、化学、結晶、金属、材料工学、または半導体物性工学の専門知識　研究開発、または関連業務３年以上
バルク単結晶成長経験、熱流体解析関連の経験があれば尚可
語学：英語：会話～ビジネスレベル（業務上必要な内容を理解・説明することができる。）

本社（沖縄県うるま市）
［転勤］無

［想定年収］441万円～525万円

［賃金形態］月給制

［月給］287000円～342400円

08:30～17:30　［所定労働時間］8時間0分　［休憩］60分
［フレックスタイム制］無［コアタイム］無

完全週休2日制


［年間休日］120日　内訳：土日祝　夏期2日　年末年始5日　その他（※有給休暇入社直後3～10日）

［有給休暇］　～最高11日　入社と同時に付与(日数は入社月による)

［退職金］有［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］無