CAD/EDAエンジニア

デバイス開発エンジニア

前工程プロセス開発

デバイス開発用TEG設計エンジニア※駐在の可能性あり／最先端技術／フルフレックス

【業務内容】
2nmプロセス及びそれ以降の世代においけるデバイス開発及びプロセス評価用TEGのLayout等の業務全般。デバイス開発ではトランジスタ特性（電気特性、各種Layout依存性）や抵抗及び容量素子、プロセス評価において各種依存性や異常をモニターするTEGの構想とCADを用いたTEGの作成。
経験等を考慮し、作成したTEGの配置からマスク作成用GDSデータの作成までの一連の業務を担当していただきます。

【量産開始までの流れ】
米IBM社と戦略的パートナーシップを締結しており、現在多くの技術者がIBM社にて2ナノ世代の要素技術獲得を進めています。並行してEUV露光機をはじめとして最先端の搬送システムや生産管理システムの導入も進めています。現在はパイロットラインの初期設計を進めており、2025年にはパイロットライン稼働、2027年には量産開始を目指しています。

【Rapidusについて】
■日本の半導体を再び世界へ
半導体は「産業のコメ」ともいわれる、今やあらゆる技術の開発、進化に欠かせないものとなっています。かつては世界でも最先端の半導体製造国であった日本ですが、現在は海外の半導体やファウンドリが台頭し、日の丸半導体は劣勢にあります。そんな中で最先端の2ナノ半導体及びさらにその先の次世代半導体の国内量産を目指し、設立されたのが当社です。

■産官学連携について
大手企業8社から総額73億円の出資を受け、「ポスト5G基金事業」による次世代半導体の研究開発プロジェクトの委託先として新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）から開発事業費700億円を受けています。また、技術研究組合最先端半導体技術センター（LSTC）と連携して2020年代後半に2nm世代の最先端ロジック半導体の短TATによる量産実現を目指しています。

変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・半導体素子の動作原理、評価内容及び結果について理解していること
・半導体デバイスプロセスTEGの開発及び作成経験者
・TEG作成経験

■歓迎条件：
・トランジスタ等の半導体素子の評価経験

＜勤務地詳細1＞
本社
住所：東京都千代田区麹町4-1 麹町ダイヤモンドビル 11階
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
＜勤務地詳細2＞
北海道千歳市
住所：北海道千歳市
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
＜勤務地詳細3＞
米IBM社
住所：アメリカニューヨーク州（Albany）
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜勤務地補足＞
国内勤務または1-2年米国勤務後国内拠点での勤務の場合有 ＊担当業務ならびにご希望に応じて決定

＜転勤＞
当面なし
※将来的に千歳での勤務の可能性あり

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～17:30