RF（高周波）IC設計

デバイス開発エンジニア

光電子デバイス

【厚木】化合物半導体を用いた高周波デバイス・光デバイスの研究開発 #RD24r0060

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■職務内容：
将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。高周波パワーアンプについては、電波送信の容量や到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。
赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。

■個人に期待する役割やミッション：
本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。キーとなる部分の研究を単独で行う側面と、複数名のチームでデバイス/回路の試作評価を行う側面があります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力に期待します。

■仕事の魅力・やりがい：
自らが研究開発で創り出した革新的なデバイスをチーム一丸となって作製し、社会実装に繋げることができ、モノづくりの醍醐味を味わうことができます。また、材料・デバイス・回路・実装と幅広いレイヤを扱っており、全体を俯瞰した研究開発ができます。なお、本人の意向次第ではごく一部にフォーカスする深堀型の研究も可能ですし、全てのレイヤを一人でこなすべく様々なスキルを習得することも可能です。

■研究所について：
＜特徴＞
◇材料からソフトウェア、コンピューティングなど様々な領域の第一線の先端技術者が在籍しており互いに刺激し合える環境です。
◇日本・米国・中国・欧州に研究開発拠点を持ち、同じプロジェクトに海外研究員が入ることもありグローバルに協業・活躍可能です。
◇博士号取得支援制度、海外大学に1年派遣する制度があります。

変更の範囲：会社の定める業務

＜最終学歴＞大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：以下1項目以上の経験必須
・高周波回路設計とその特性評価
・半導体デバイス開発
・光学センサ開発

■歓迎条件：
以下の経験があること
・CAD
・半導体プロセス開発
・デバイスや電磁界などのシミュレーション
・電気的・光学的な評価

＜勤務地詳細＞
厚木研究所
住所：神奈川県厚木市森の里若宮10-1
勤務地最寄駅：小田急線／本厚木駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む）

＜転勤＞
当面なし
転勤は当面想定していません。

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:45～17:30
＜その他就業時間補足＞
※事業所・所属部署により開始時間が異なる場合があります。