【日進市/豊田市】材料・デバイス・プロセス研究(電動車向けインバータ、電源機器用次世代パワー半導体)
- パワーデバイスプロセス技術研究者材料開発エンジニア
- 愛知県
- 年収300万円未満年収300万~500万円年収500万~700万円
- 提供元:doda
- 掲載日:2025年01月20日
求人AIによる要約
当社は、次世代パワー半導体の研究開発を通じて、電動車向けインバータや電源機器の革新を目指しています。SiCやGaN、酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体の材料研究やデバイス開発に携わり、第一原理計算や機械学習を活用した最先端の技術に挑戦する機会があります。グローバルな視点で高品質な製品を提供し、持続可能な社会の実現に貢献する当社で、あなたの専門性を活かしませんか?
【おすすめポイント】
・次世代パワーデバイスの最前線での研究開発
・グローバルな環境でのキャリア成長
・高い社員エンゲージメントと安定した企業基盤
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OUTLINE
パワーデバイス
プロセス技術研究者
材料開発エンジニア
【日進市/豊田市】材料・デバイス・プロセス研究(電動車向けインバータ、電源機器用次世代パワー半導体)
当社は、売上収益7兆3,500億円、研究開発費5,500億円、特許保有数約41,000件といった圧倒的な数字を誇る自動車部品メーカーです。トヨタ以外への売上も38.8%と安定したポートフォリオを持ち、社員エンゲージメントも78%と高い評価を得ています。環境・安心の価値を最大化し、社会課題の解決に貢献することを目指しています。25ヵ国127工場を有し、グローバルな視点から高品質な製品を提供し続けています。
■募集背景
パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。
■業務内容:
パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
【変更の範囲:会社の定める職種】
■当社の特徴
世界35ヶ国の国と地域で事業展開を行う日本を代表するグローバルカンパニー。自動車部品メーカーとしてはワールドワイドでもトップクラスの実績を誇ります。既存の6つのコア事業[サーマルシステム、パワートレインシステム、エレクトリフィケーションシステム、モビリティシステム、電子システム、非車載事業]をベースに、持続的成長を続けるため「電動化/先進安全・自動運転/コネクティッド/FA・農業」の4つの重点技術分野に注力し、CASE時代のトップランナーであり続けつつ、新事業領域への事業拡大にも挑戦しています。
変更の範囲:会社の定める業務
<応募資格/応募条件>
<MUST要件>
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル)
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること
<WANT要件>
・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
・エピタキシャル成長に関するプロセス/装置開発経験(5年以上)
・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上)
先端技術研究所
住所:愛知県日進市米野木町南山500-1
勤務地最寄駅:名鉄豊田線/米野木駅
受動喫煙対策:屋内喫煙可能場所あり
<勤務地詳細2>
広瀬製作所
住所:愛知県豊田市西広瀬町桐ヶ洞543
受動喫煙対策:屋内全面禁煙
変更の範囲:会社の定める事業所(リモートワーク含む)
<勤務地補足>
※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ(https://www.mirise-techs.com/)に出向いただきます。
【変更の範囲:会社の定める事業所】
<転勤>
当面なし
【変更の範囲:将来的に、業務上の都合による転勤や駐在等の可能性があります。】
<在宅勤務・リモートワーク>
相談可
<オンライン面接>
可
フレックスタイム制
コアタイム:10:10~15:25
休憩時間:60分
時間外労働有無:有
<標準的な勤務時間帯>
8:40~17:40
<その他就業時間補足>
※上記は標準労働時間です。
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