デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

【富山／魚津市】半導体結晶成長技術／デバイス・プロセス技術開発◆在宅可・フルフレックス◆年休127日

■業務内容：
パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハや、トランジスプロセスの開発と量産化に向けた、結晶成長技術開発／ウエハプロセス開発／工程設計／量産技術開発／評価・解析等をお任せします。

■具体的には：
（1）パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発
・安定生産を実現する量産化技術の開発

（2）パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発
・化合物半導体（GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など）
・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など）
・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価

■当社について：
元々はパナソニック株式会社の中で半導体事業の役割を担っていましたが、2020年9月に台湾のウィンボンド・エレクトロニクス社傘下のヌヴォトンテクノロジー社に譲渡されています。国内有数のグローバル企業であるパナソニック社と台湾外資で先鋭的な事業展開を繰り広げるヌヴォトン社の企業文化が折衷された組織風土があります。

■事業の強み：
パナソニック内で長年培ったコア技術をベースに、半導体デバイスだけではなくソフトウェア技術を含めたセンシング分野とパワーマネジメント分野で業界トップクラスの技術力があります。特に強みとしているのは「空間認識」と「電池応用」の二本の柱で、半導体業界を牽引しています。

変更の範囲：会社の定める業務

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・半導体のデバイス・プロセス開発業務経験 （3年目安）
・材料物性、半導体プロセス技術の知識
・TOEIC(R)テスト(R)400点以上
・GaNトランジスタに興味がある
・Si基板上のGaNエピタキシャル結晶成長、GaNトランジスタのプロセス開発に興味がある
※電気、電子、物理、化学、材料など、さまざまな技術や経験が活かせる職場です。

■歓迎条件：
・半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験
・化合物半導体材料、物性の知識

＜語学力＞
必要条件：英語初級

＜勤務地詳細＞
富山（魚津）拠点
住所：富山県魚津市東山800
勤務地最寄駅：魚津駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所（リモートワーク含む）

＜転勤＞
当面なし

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可（在宅）

＜オンライン面接＞
可

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
フレキシブルタイム：6:00～22:00
休憩時間：45分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:00
＜その他就業時間補足＞
※在宅勤務制度あり