パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
- ウェハ材料パワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県 三重県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円年収1000万円以上
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年01月16日
求人AIによる要約
パワー半導体向けの単結晶成長プロセス技術開発に携わるチャンスです。あなたの経験に応じて、パワー半導体の製品設計や工程・設備設計、生産技術開発など多岐にわたる業務をお任せします。具体的には、単結晶成長技術の開発、ウェハ製造のための生産技術や設備設計、品質保証などが含まれます。多様なバックグラウンドを持つメンバーと共に、最先端の技術に挑戦し、業界の発展に貢献することができます。
【おすすめポイント】
・多様な業務に携わることでスキルを広げられる
・業界の最前線で技術開発に貢献できる
・異業種からの転職者も活躍中で、知見を生かせる環境
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OUTLINE
ウェハ材料
パワーデバイス
プロセス技術研究者
■パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をお任せします。ご本人様の経験・スキルに応じて以下いずれかの業務をお任せします。具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化
［配属先情報］
半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
・無機材料の研究開発、プロセス開発、工程設計経験
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。
［転勤］当面無
［賃金形態］月給制
［月給］254000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有 10:10～14:25
［年間休日］120日 内訳：土日 その他（会社カレンダーに準ずる(年間120日以上)）
［有給休暇］ ～最高20日 3月入社の場合※入社月により日数変動
［寮社宅］有
［その他制度］【有給備考】4月～9月入社は入社時より10日付与、それ以外は入社月により変動。2年度目以降は17日付与
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