【阿久比・いなべ】パワー半導体向けのSiCウエハ生産技術開発
- パワーデバイス前工程プロセス開発生産技術エンジニア
- 愛知県 三重県
- 年収500万~700万円年収700万~1000万円年収1000万円以上
- 提供元:リクナビNEXT
- 掲載日:2025年01月16日
求人AIによる要約
パワー半導体SiCに特化した生産技術開発業務を担当していただきます。具体的には、ベンチマーク調査やSiCのスライス加工、研削、CMPなどの技術開発、実験、評価、工程設計を行います。また、SiC関連設備の設置や生産準備も含まれます。新設のSiCプロジェクト室では、多様なバックグラウンドを持つメンバーが集まり、開発から製造までの幅広い経験を活かして活躍しています。あなたの専門知識を生かし、最先端の技術に携わるチャンスです。
【おすすめポイント】
・パワー半導体SiCに特化した専門的な技術開発
・多様なバックグラウンドを持つチームでの協働
・最先端の技術に触れながらキャリアを築ける環境
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
パワーデバイス
前工程プロセス開発
生産技術エンジニア
■パワー半導体SiCに関わる生産技術開発業務をお任せします。・パワー半導体関連のベンチマーク調査分析・SiCに関わる生産技術(スライス加工、研削、CMP)の開発・実験・評価・工程設計・SiCに関わる設備の設置・生産準備 ※建屋への改変作業はございません【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体SiCに関わる生産技術開発を進めています。開発から製造まで、様々な経験を積まれた方が集約した組織です。(勤務地は本社のほか、先端研究所・阿久比等があります)
[配属先情報]
半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
【歓迎】・半導体に関わる新製品開発プロジェクト推進のマネジメント経験
【採用背景】電気自動車の市場拡大に伴い、パワー半導体SiCへのニーズも拡大しています。SiCプロジェクト室としては、SiCニーズ拡大のタイミングをしっかり掴まえて、社会の電動化に貢献できる高品質なSiC半導体を市場に供給するための生産技術を開発します。SiC市場も技術もリードできる仲間が必要です。
[転勤]当面無
[賃金形態]月給制
[月給]254000円~
[フレックスタイム制]有[コアタイム]有 10:10~14:25
[年間休日]120日 内訳:土日 その他(会社カレンダーに準ずる(年間120日以上))
[有給休暇] ~最高20日 3月入社の場合※入社月により日数変動
[寮社宅]有
[その他制度]【有給備考】4月~9月入社は入社時より10日付与、それ以外は入社月により変動。2年度目以降は17日付与
COMPANY
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。