ウェハ材料

光電子デバイス

成膜装置

MOCVD装置を用いた化合物半導体材料（GaAs InP AlN GaN関連材料）の結晶成長に関する研究開発業務をご担当いただきます。◇GaAs系 InP系赤外LED・PDの結晶成長に関する業務◇デバイス特性向上に向けたMOCVDを用いたプロセス条件最適化／MOCVD装置設計の最適化

［配属先情報］
ご入社後、すぐにDOWAセミコンダクター秋田(株)へ出向へ頂きます。労働条件の変更はございません。

【いずれか必須】
■パワーデバイス向けGaN系エピ基板開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
■オプトデバイス向けGaAs･InP･AlN･GaNおよびその関連材料のエピ成長開発もしくは製造におけるMOCVD技術経験
■GaAs･InP･AlN･GaNおよびその関連材料向けのMOCVD装置の装置開発・設計の技術経験

DOWAセミコンダクター秋田(株)（秋田県秋田市）
［転勤］当面無

［想定年収］500万円～710万円

［賃金形態］月給制

［月給］250000円～350000円

08:00～17:00　［所定労働時間］7時間55分　［休憩］65分
［フレックスタイム制］無［コアタイム］無

完全週休2日制


［年間休日］119日　内訳：土日祝

［有給休暇］※制度・福利厚生備考欄ご参照ください。

［退職金］有［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］有

［その他制度］財形貯蓄制度、従業員持株会、契約保養施設、引越手当の企業負担　ほか