24064 シリコンフォトニクス設計技術を活用したヘテロジニアス光集積回路の開発
- RF（高周波）IC設計デバイス開発エンジニア光電子デバイス
- 千葉県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円年収1000万円以上
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年01月06日
求人AIによる要約
シリコンフォトニクス設計技術を駆使し、ヘテロジニアス光集積回路の開発に挑戦するチャンスです。設計に特化した増員を目指しており、ファンドリとの打合せを通じて、高周波伝送や光入出力・放熱を考慮した光エンジンの設計に携わります。私たちのミッションは、高速・低消費電力の光集積回路を開発し、データセンターやコンピュータ内のデータ通信のエネルギー効率を向上させ、持続可能なITインフラの発展に寄与することです。中途入社者が多く、馴染みやすい職場環境です。
【おすすめポイント】
・シリコンフォトニクス技術を活用した最先端の設計に関与
・環境に配慮したITインフラの発展に貢献
・中途入社者が多く、働きやすい職場環境
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OUTLINE
RF（高周波）IC設計
デバイス開発エンジニア
光電子デバイス
半導体微細加工技術で実現されたシリコン光集積回路に光機能素子を実装したヘテロジニアス光集積回路技術の開発に従事していただきます。今回の募集は設計に特化して増員したいと考えております。ファンドリとの打合せをメインに、高周波伝送および光入出力・放熱を総合的に考慮した光エンジンの設計にも携わって頂きます。 【課のミッション】 高速・低消費電力な光集積回路・デバイスを開発を通じて、データセンター内及びコンピュータ内のデータ通信の高エネルギー効率化に寄与し、環境影響に配慮したITインフラの持続的な発展に貢献する。
［配属先情報］
情報通信ソリューション統括部門 先進融合デバイス技術部 先進1課（4グループ有 ※1グループ4～5人 ※大半が中途入社のため馴染みやすい職場
【歓迎】外部ファンダリを活用した経験があり、PDKやプロセスルールにに関する知識
【魅力】■革新的な光デバイスの開発でデータセンターや通信の効率化に貢献し、持続可能な未来を築くことに貢献できることです。■大型国PJを実施中であり、中途入社社員が多く、異なるバックグラウンドや経験を持つメンバーと創造的に業務に取り組む中で広範囲な技術的スキルや知識を獲得できます。■社長直下組織であり、意思決定スピード及び裁量をもって進められます。■平均残業20h程度/月。在籍者は週1～2回程度在宅勤務
［転勤］当面無
［賃金形態］月給制
［月給］270000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有 13:00～14:00
［年間休日］121日 内訳：土日祝
［有給休暇］ ～最高25日 初年度は入社日により日数は変更されます
［寮社宅］有
［その他制度］財形貯蓄（利子補助）、従業員持株、財形持家転貸融資、全国各地の直営及び契約ベネフィット・ステーション
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