パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
- ウェハ材料パワーデバイスプロセス技術研究者
- 愛知県 三重県
- 年収500万～700万円年収700万～1000万円年収1000万円以上
- 提供元：リクナビNEXT
- 掲載日：2025年01月06日
求人AIによる要約
パワー半導体向けの単結晶成長プロセス技術開発に携わるチャンスです。あなたには、パワー半導体の製品設計や工程・設備設計を担当していただきます。具体的には、単結晶成長技術の開発、プロセス設計、製造設備の制御技術開発、ウェハ製造に関する生産技術開発など多岐にわたる業務があります。社内外の関係者との折衝や、開発技術の権利化にも関与し、あなたの専門知識を活かすことができます。多様なバックグラウンドを持つ仲間と共に、半導体業界でのキャリアを築きませんか？
【おすすめポイント】
・パワー半導体の最前線での技術開発に携われる
・多様な業務を通じて専門性を高められる
・社内外の関係者とのネットワーク構築が可能
※提供元サイトへリンクします
OUTLINE
ウェハ材料
パワーデバイス
プロセス技術研究者
■パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発をお任せします。具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発 ・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝 ・開発技術の権利化
［配属先情報］
半導体だけでなく、素材・化学分野からの転職者もおり、旧職の知見や経験を生かして活躍されています。
・無機材料プロセス開発、工程設計経験
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計
【組織ミッション】SiCプロジェクト室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。
［転勤］当面無
［賃金形態］月給制
［月給］254000円～
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有 10:10～14:25
［年間休日］120日 内訳：土日 その他（会社カレンダーに準ずる(年間120日以上)）
［有給休暇］ ～最高20日 3月入社の場合※入社月により日数変動
［寮社宅］有
［その他制度］【有給備考】4月～9月入社は入社時より10日付与、それ以外は入社月により変動。2年度目以降は17日付与
COMPANY
※提供元サイトへリンクします
当サイトの情報は、情報提供元から自動取得した内容を掲載しており、一部情報が最新でない可能性があります。最新の内容については、直接情報提供元でご確認ください。