RF（高周波）IC設計

デバイス開発エンジニア

光電子デバイス

半導体微細加工技術で実現されたシリコン光集積回路に光機能素子を実装したヘテロジニアス光集積回路技術の開発に従事していただきます。プラットフォームとなるシリコンフォトニクス回路の設計ならびにファンドリとの打合せをメインに、高周波伝送および光入出力・放熱を総合的に考慮した光エンジンの設計にも携わって頂きます。

［配属先情報］
情報通信ソリューション統括部門先進融合デバイス技術部先進1課（業務の変更範囲）当社の定める業務全般

【必須】
■光関連デバイス開発チームのメンバーとしての設計・評価の業務経験
※大学や大学院時代でのご経験も可
【歓迎】■外部ファンダリを活用した経験があり、PDKやプロセスルールに関する知識をお持ちの方
★当社の光通信デバイスは、他社製品と比較して小型化できる点が大きな強みです。シェアも世界トップクラスであり非常にやりがいの大きなポジションになります。

千葉事業所（千葉県市原市）
［転勤］当面無

［勤務地備考］（変更の範囲）当社の定める場所。

［想定年収］450万円～900万円

［賃金形態］月給制

［月給］226850円～

［所定労働時間］7時間45分　［休憩］60分
［フレックスタイム制］有［コアタイム］有　13:00～14:00

完全週休2日制


［年間休日］121日　内訳：土日祝

［有給休暇］　～最高25日　初年度は入社日により日数は変更されます

［退職金］有［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］有

［その他制度］財形貯蓄（利子補助）、従業員持株、財形持家転貸融資、全国各地の直営及び契約ベネフィット・ステーション