デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

【埼玉･朝霞】パワーMOSFETのプロセス開発（前工程）※プライム市場上場/年休129日

【プライム市場上場／パワーダイオード世界2位のグローバル企業／国内でも「ブリッジダイオードの新電元」として地位確立／平均勤続年数17年で定着率良好】

■業務内容：Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務をお任せいたします。具体的には、プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価などから、ご経験やスキルに応じて業務をアサインしていきます。
（業務の変更の範囲：会社の定める業務）

■案件の魅力：
・市場ニーズの高い製品を扱います。リチウムイオン電池の技術進化と環境意識の高まりなどを受け、車載用電装市場においても急速に電動化が進んでいます。そうした中で、デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでおり、当社の存在意義も高まっています。

■企業の魅力：
◇電装／エネルギーシステム／電子デバイスの3事業で偏りなく業績のバランスが取れており安定しています。各事業部にシェアNo.1製品もそれぞれございます。
◇年間休日129日、平均有給取得率も60％程度とワークライフバランスが整っています。また、業務以外のサークル活動なども充実しており、希望者は就業後やオフにも部門を越えスポーツや趣味を充実させることもできます。

変更の範囲：本文参照

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
【必須要件】
・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験

【歓迎要件】
・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験
・デバイスシミュレータのスキル
・プロセスシミュレータのスキル
・TEG（マスク）設計CADのスキル
・静特性測定、動特性測定のスキル
・半導体デバイスに関する特許取得

＜勤務地詳細＞
朝霞事業所
住所：埼玉県朝霞市幸町3丁目14番1号
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜勤務地補足＞
勤務地の変更の範囲：会社の定める事業所

＜転勤＞
当面なし
転勤は当面想定していません。

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可（在宅）

＜オンライン面接＞
可

給与
＜予定年収＞
500万円～1,000万円

＜賃金形態＞
月給制
特記事項なし

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：290,000円～610,000円

＜月給＞
290,000円～610,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
■経験・能力等を十分に考慮の上、当社規程により決定します。
■賞与：4か月程度

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制
コアタイム：10:30～14:30
フレキシブルタイム：5:00～10:30、14:30～22:00
休憩時間：60分
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～17:30
＜その他就業時間補足＞
補足事項なし