デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

プロセス技術研究者

パワー半導体製品（IGBT・SiCモジュール/高耐圧IC/パワーダイオード)のデバイス開発、プロセス開発、回路設計、パッケージ設計、試作、評価業務をご担当いただきます。設計・製品開発補助業務■マスクレイアウト■電気特性測定、試作品の観察■試作品データ整理、現品解析■試作品流動指示、進捗確認■試作品外注作業の発送・受入■各種図面作成

［配属先情報］
顧客先：茨城県日立市　※ご希望を最大限考慮します。

【必須】
■半導体設計経験3年以上
【関連のスキルをお持ちの方】
■IGBT、SiC-MOS、高圧IC、ディスクリート製品設計経験
■デバイス、プロセス設計、回路設計、量産展開経験
■シミュレーションを用いたデバイス、プロセス設計経験
■TOEIC600点取得

顧客先（茨城県日立市）
［転勤］当面無

［勤務地備考］原則1つのPJTを長く勤めて頂く予定です（本人希望考慮します）

［想定年収］400万円～600万円

［賃金形態］月給制

［月給］250000円～300000円

09:00～18:00　［所定労働時間］8時間0分　［休憩］60分
［フレックスタイム制］無［コアタイム］無

完全週休2日制


［年間休日］123日　内訳：土日祝　夏期5日　年末年始5日　その他（配属先により変動）

［有給休暇］入社半年経過後10日～最高20日

［退職金］無［社会保険］健保　厚生年金　雇用　労災
［寮社宅］有　借り上げ社宅にて　5割企業負担

［その他制度］確定搬出年金制度 (401k)、提携保養所