パワーデバイス

プロセス技術研究者

後工程プロセス開発

【栃木・鹿沼】プロセスエンジニア＜新しいSiC加工プロセスを考案＞世界にも貢献度の高い技術開発に貢献

【世界でまだ誰もなし得ていない８インチサイズの溶液法SiCウェハ量産化開発／残業10時間程度／日本だけでなく世界にとって貢献度の高い技術開発にチャレンジ】
ハードディスク用液体研磨剤の世界シェアNo.1の同社にて、国産のパワー半導体の開発推進をしていく国家規模の重要なプロジェクトに参画していただけます。

■業務内容
マネージャーのもと技術者として溶液法によって成長されたSiC結晶を外径研削からエピレディウェハまで仕上げるための量産加工プロセスのエンジニア業務をご担当頂きます。外径研削工程、切断工程、研磨工程、洗浄工程をご担当頂きます。

■次世代グリーンパワー半導体開発
電動車、再エネなどの電力、サーバ電源等、カーボンニュートラルに向けて革新的な省エネ化が必要な分野において、SiC半導体は高耐熱、高耐圧、高放熱などのパワー半導体に求められる性能を有しており、普及が期待されれいますが、ウェハコストが高い、結晶欠陥がSiと比較して多いなどの欠点があります。溶液法結晶では、結晶欠陥を少なくすることができ、低コスト加工技術を開発し社会実装に向けて取り組んでいます。
※加工難易度の高いSiCの外径加工から、切断、研磨加工、検査工程の開発を担います。

■働き方◎
加工スケジュールが組みやすいこともあり、月平均残業時間は20時間程度です。また、夜勤もありません。

■組織構成
人数：８名（マネージャー１名、社員7名）
平均年齢：４０代


変更の範囲：会社の定める業務

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
■必須要件：
半導体、電子部品、光学部品、セラミックスなどの加工業務に従事されていたかた

■歓迎要件
・SiCやGaNなど化合物半導体ウェハの加工経験者

＜勤務地詳細＞
鹿沼事業所
住所：栃木県鹿沼市さつき町18
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜転勤＞
当面なし
補足事項なし

＜オンライン面接＞
可

給与
＜予定年収＞
400万円～800万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：250,000円～660,000円

＜月給＞
250,000円～660,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考/経験/年齢を通じて上下する可能性があります。
■昇給：年1回4月
■賞与：年2回(昨年実績)

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜勤務時間＞
8:30～17:15（所定労働時間：7時間45分）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有
＜その他就業時間補足＞
月平均残業：20時間程度