ウェハ材料

パワーデバイス

材料開発エンジニア

【千葉／市原】SiC単結晶基板の製造技術開発者（単結晶成長工程）※大手総合化学メーカー

【元日立化成・大手化学メーカーレゾナックグループ／化学の力で社会を変える】

■業務内容：
SiC単結晶基板の「単結晶成長工程」に関わる製造技術開発の担当者として、業務をお任せいたします。
SiC単結晶の製造においては、単結晶成長／結晶加工／特性評価に関するプロセス設計及び開発がございますが、本ポジションではSiC単結晶基板の単結晶成長工程における技術開発を担当いただきます。
【変更の範囲：会社ならびに出向先の定める全ての業務（配置転換を含む人事異動を命じることがある）】

■具体的には：
SiC単結晶成長工程における下記業務の一部に携わっていただく予定です。
◇SiC結晶成長技術開発：結晶成長の設計、成長条件の検討、新規導入設備の立ち上げ
◇原材料の検討：部材の設計、原材料の選定、部材・原材料の調達
※担当業務については着任後にこれまでのご経験・ご志向を鑑み、相談のうえで決定いたします。
※入社後は周囲のサポートをもらいながら業務をキャッチアップいただき、徐々に担当範囲を広げていくようなイメージです。

■組織のビジョン：
「化学の力で社会を変える」ために、私たちは、低炭素社会実現に大きく貢献するSiC単結晶（SiCパワー半導体に必須の材料）の製造で社会に貢献していきます。
SiC基板のBIC品質獲得と年間生産数量達成との両立をミッションとして掲げ、新規設備の開発、コスト競争力強化を図りながらSiC単結晶基板開発業務を実施しています。

■組織構成
市原生産・技術センター：56名(男性54名,女性2名)　(派遣含め110名、男性83名,女性6名)
製造・開発１グループ（結晶成長工程）：16名（派遣含め27名）　
配属予定の製造・開発１グループは20～30代の若手が大半

■やりがい：
◇省エネルギー社会に求められる高効率パワーデバイスに使用されるSiC製品に関わることで、社会問題の解決の一部に直接貢献できる魅力的な事業です。
◇レゾナックが注力する半導体材料であるSiCは、高効率パワーデバイスの需要拡大に伴う高い市場成長率が見込まれており、大幅な成長局面における業務経験ができます。

＜最終学歴＞大学院、大学卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
◇結晶成長もしくは半導体に関するプロセス設計・開発や技術開発の経験

■歓迎条件：
◇単結晶成長の知識や経験
◇半導体に関わる知識や経験
◇加熱装置に関する知識や経験
◇科学論文の読解能力（英語含む)

＜勤務地詳細＞
千葉事業所
住所：千葉県市原市八幡海岸通り5-1
受動喫煙対策：屋内全面禁煙

＜勤務地補足＞
【変更の範囲：会社ならびに出向先の定める国内外のすべての拠点（テレワーク規定等で定める場所を含む）】※リモート対応：業務状況に応じて可能．試験（サンプルワーク）時は現認必要

＜転勤＞
当面なし
当面転勤は想定していません。

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可

＜オンライン面接＞
可

給与
＜予定年収＞
500万円～900万円

＜賃金形態＞
月給制
特記事項なし

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：250,000円～455,000円

＜月給＞
250,000円～455,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
■年収構成：ご経験を考慮し設定いたします。
■賞与：年2回（6月、12月）
※賃金の計算期間：毎月1日～月末日
※賃金の支払い日：毎月25日

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
フレックスタイム制（フルフレックス）
休憩時間：60分（12:00～13:00）
時間外労働有無：有

＜標準的な勤務時間帯＞
8:30～17:15
＜その他就業時間補足＞
残業時間：約10～50h/月(繁忙期に応じて変動有)