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掲載中 応募受付中 掲載日: 2024年12月6日

株式会社Power Diamond Systems

次世代半導体プロセスエンジニア(デバイスプロセス・結晶成長プロセスなど)

ウェハ材料デバイス開発エンジニアプロセス技術研究者
想定年収 年収1000万円以上、年収700万~1000万円、年収500万~700万円
勤務地 福岡県、東京都

募集職種

ウェハ材料

デバイス開発エンジニア

プロセス技術研究者

仕事内容

世界トップクラスのデータを出しているダイヤモンド半導体デバイス開発において、化合物半導体の結晶成長に関する研究開発を主導していただきます。<このポジションの魅力>■早稲田大学が保有する半導体プロセス設備を最大限活用し大きな裁量権をもち、世界最先端のダイヤモンド半導体デバイスの研究開発に没頭できます。■22年8月創業で未だ5名に満たない人員のため、半導体研究開発の経験を活かしながら、スタートアップの創業期でしか味わえないゼロイチで事業を作り上げていく貴重な経験を積むことができます。

求めている人材

【必須】
■半導体やMEMS等の微細加工プロセスに関する研究開発経験(フォトリソ、CVD等) ■論文を読解できる英語力
【歓迎】
■半導体のデバイスプロセス・結晶成長プロセスに関する研究開発経験(フォトリソ、CVD等) 
■英語の論文(記述)スキル保有者
【当社のビジョン】-究極の半導体材料"ダイヤモンド"とともに一歩先の未来へ ~Diamond Opens The Future Electronics~

勤務地

北九州R&Dセンター(北九州市若松区)、本社(東京都新宿区)
[転勤]当面無

[勤務地備考]将来的に転勤の可能性あり

給与

[想定年収]500万円~700万円

[賃金形態]年俸制 [分割回数]12回

勤務時間

[所定労働時間]8時間0分 [休憩]45分
[フレックスタイム制]有[コアタイム]有 00:00~00:00

休日休暇

[年間休日]110日 内訳:土日祝 その他(祝日・夏季/年末年始/慶弔休暇)

[有給休暇]入社半年経過後10日~ 年次有給休暇あり

福利厚生

[退職金]無[社会保険]健保 厚生年金 雇用 労災
[寮社宅]無

会社概要

株式会社Power Diamond Systems