デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

前工程プロセス開発

【京都／転勤無し】パワー半導体デバイスの設計開発◆業界最先端の技術開発／年休120日◆

～★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか？★／業界最先端のSi、SiC、GaNなどのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業／大手半導体メーカー出身社員（10~30年以上の経験を有するメンバー）と共に高度な技術開発ができ、顧客の要望に沿った製品を一から作り上げることができます！～

■採用背景：
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制・信頼性確保・量産体制を強化するための採用です。

■業務内容：
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。【変更の範囲：会社の定める業務】

■配属先情報：
大手半導体メーカー（TI/ONSemiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で１0～30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。

■成長計画：
パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。

■当社について：
◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。
◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。
◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。
◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
◇2022年からはGaNpowerdevicesの開発もスタートしWideBandGap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・パワー半導体デバイス（Si,SiC,GaN,）の設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方
（例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験等

■歓迎条件：
・デバイスシミュレーター（SynopsisSentaurusなど）の使用経験
・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験




＜語学補足＞
【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

＜勤務地詳細＞
本社
住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり

＜勤務地補足＞
【変更の範囲：無】

＜転勤＞
無

＜オンライン面接＞
可

給与
＜予定年収＞
700万円～1,100万円

＜賃金形態＞
年俸制

＜賃金内訳＞
年額（基本給）：7,000,000円～11,000,000円

＜月額＞
583,333円～916,666円（12分割）

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
無

＜給与補足＞
賞与:なし

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞
専門業務型裁量労働制
みなし労働時間/日：8時間00分
休憩時間：60分
時間外労働有無：無

＜標準的な勤務時間帯＞
9:00～18:00