デバイス開発エンジニア

成膜装置

設備エンジニア

【東京／多摩市】シニアRFエレクトリカルエンジニア（電気技術者）※日本法人にR&D機能有

【半導体の成膜時に必要不可欠な装置の開発（エピタキシャル装置で世界シェアトップ）／プラズマCVD装置は日本が開発の中心】

■主要職務：
・工学原理、製品仕様、研究データを応用して、半導体産業向けのシステムや製品の設計を行う
・マイクロプロセッサー制御の半導体装置で使用される低レベルのサブアセンブリのフェイルセーフでコスト効率の良い設計を開発する
・低レベルのアセンブリを統合し、目的のシステムレベルの構成を得る
・デジタルおよびアナログI/Oの要件を適合させ、顧客固有の構成を実現する
・資本発注、経費プロジェクト、改修、開発プロジェクトに対する技術サポートを提供する
・非標準オプション、新システム機能、製品強化のためのエンジニアリングコスト見積りをマーケティングに提供する
・エンジニアリングの変更要求を評価し、確立された手順とスケジュールに従って、必要に応じて変更する
・顧客先に出張し、新しく開発され組み込まれた装置の設置や機器関連の問題解決を支援する
・ASMが製造する製品の製造および試験に関する製品/システム設計および関連文書を作成する
・新しい設計を生産に移す前に、設計レビューに参加する
・コスト削減や製品改善プロジェクトのためのハードウェアのテストをサポートし、性能目標を検証する
・試験装置の設計と構築、ハードウェアによる基本的な計測のサポート、試験手順の作成、必要に応じて電気機械試験を実施し、実施したすべての評価の信頼性データと記録を維持する
・主要な開発努力を必要としない製品のすべての部分について、セールスオーダーで指定されたシステムの設計および製造をサポートする
・技術マニュアルをレビューし、改訂された文書の必要性についてテクニカルパブリケーション（Tech Pubs）を更新する
・文書管理をサポートし、ケーブルアセンブリ、PCBアセンブリ、配線図など、さまざまなサブアセンブリの製造に関連する手順を確立する

■日本法人の立ち位置：
外資系企業ながら開発拠点が日本にあり、CVD装置は研究開発から製造・部品調達、カスタマイズまで全て日本で行っています。製品毎に主要開発拠点があり、日本はCVD装置の開発拠点という位置づけになります。また、近年話題のハフニウム使用のゲート絶縁膜分野では先駆的な存在となります。

＜最終学歴＞大学院卒以上

＜応募資格/応募条件＞
■必須条件：
・高電圧AC（交流）およびRF（無線周波数）電源制御の設計経験（RFはPlasmaの一部です）
・電気／機械工学の修士号以上
・物理学と工学の知識、およびCADとソリッドモデリングに精通していること
・実際のアプリケーションにおける電気的または機械的設計の経験

■歓迎条件：
・蒸着製品に関する知識（CVD、ALD、EPI、PECVD、PEALD）
・半導体製造装置の電気系統、高真空システムにおける安全性やプラズマ制御への理解

＜語学力＞
歓迎条件：英語中級

＜語学補足＞
歓迎：ビジネスレベルの日本語力・英語力

＜勤務地詳細＞
本社
住所：東京都多摩市永山6-23-1
勤務地最寄駅：小田急線・京王線／永山駅
受動喫煙対策：屋内全面禁煙

＜転勤＞
当面なし

＜在宅勤務・リモートワーク＞
相談可（在宅）

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
1,100万円～1,250万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：750,000円～875,000円

＜月給＞
750,000円～875,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※給与詳細、残業代はグレードにより決定します。
※上記年収は、基本給900万円～1050万円＋ボーナス15％＋変動手当を含みます。
■業績賞与：基本年収の15％想定　※グレードによる
■出張手当：有（日毎支給）※出張手当は食事代として支給され、宿泊代は別途企業負担となります。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜勤務時間＞
9:00～17:30 （所定労働時間：7時間30分）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有