ウェハ材料

パワーデバイス

後工程プロセス開発

【鹿沼】半導体材料の量産加工オペレーター◆残業10h程・土日祝◆SiCの加工開発に参画／社会貢献度◎

【世界でまだ誰もなし得ていない８インチサイズの溶液法SiCウェハ量産化開発／残業10時間程度／日本だけでなく世界にとって貢献度の高い技術開発にチャレンジ】
ハードディスク用液体研磨剤の世界シェアNo.1の同社にて、国産のパワー半導体の開発推進をしていく国家規模の重要なプロジェクトに参画していただけます。

■業務内容
マネージャー、技術者のもと溶液法によって成長されたSiC結晶を外径研削からエピレディウェハまで仕上げるための量産加工装置のオペレーティング業務をご担当頂きます。外径研削工程、切断工程、研磨工程、洗浄工程をご担当頂きます。

■次世代グリーンパワー半導体開発
電動車、再エネなどの電力、サーバ電源等、カーボンニュートラルに向けて革新的な省エネ化が必要な分野において、 SiC半導体は高耐熱、高耐圧、高放熱などのパワー半導体に求められる性能を有しており、普及が期待されれいますが、ウェハコストが高い、結晶欠陥がSiと比較して多いなどの欠点があります。溶液法結晶では、結晶欠陥を少なくすることができ、低コスト加工技術を開発し社会実装に向けて取り組んでいます。
※加工難易度の高いSiCの外径加工から、切断、研磨加工、検査工程の開発を担います。

■働き方◎
加工スケジュールが組みやすいこともあり、月平均残業時間は10時間程度です。また、夜勤もありません。

■組織構成
人数：８名（マネージャー１名、社員7名）
平均年齢４０代

■当社の特徴/魅力
・ハードディスクの最終工程 世界シェア100%
長年培った研磨分野における独自ノウハウを武器に研磨関連製品の製造販売を展開しています。特にハードディスク基板の最終研磨工程では世界シェア100%です。
・挑戦を重んじる文化
入社年次に関わらず、裁量権を持って、業務改善や組織改革などもご自身の意見で進めていただくことが可能です。自身の挑戦が企業の成長に直結する環境です。
・老舗企業として安定を求めた企業ではなく、常に環境変化や社会、市場の変化に合わせて変化をし続けているのが当社です。コロナ過において業績も非常に好調で推移しており、従業員も増加し、事業拡大も進んでいます。そういった変化の大きい当社では、新しいことにも積極的にチャレンジができます。

変更の範囲：会社の定める業務

学歴不問

＜応募資格/応募条件＞
■必須要件
製造現場などでの加工業務のご経験

■歓迎条件
・砥粒を用いた加工において生産、研究開発いずれかの経験をお持ちの方（スライス、ラップ、研削、研磨等）
・半導体、電子部品、光学部品、セラミックスなどでの加工業務に従事されていたかた
・SiCやGaNなど化合物半導体ウェハの加工経験者

＜勤務地詳細＞
鹿沼事業所
住所：栃木県鹿沼市さつき町18
受動喫煙対策：屋内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜転勤＞
当面なし
補足事項なし

＜オンライン面接＞
可

＜予定年収＞
400万円～600万円

＜賃金形態＞
月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：250,000円～375,000円

＜月給＞
250,000円～375,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
※予定年収はあくまでも目安の金額であり、選考/経験/年齢を通じて上下する可能性があります。
■昇給：年1回 4月
■賞与：年2回( 昨年実績 )

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜勤務時間＞
8:30～17:15 （所定労働時間：7時間45分）
休憩時間：60分
時間外労働有無：有
＜その他就業時間補足＞
月平均残業時間：10時間程度