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掲載日:
2026年11月5日
富士電機株式会社
【東京/日野市】研究開発◇次世代パワー半導体のパッケージの研究開発/東証プライム上場のグローバルメーカー
想定年収
その他、年収700万~1000万円、年収500万~700万円
勤務地
東京都
Smart Overview
【おすすめポイント】
・次世代技術の開発に関与できる
・専門的なスキルを活かしながらキャリアアップ
・最先端の環境で成長を実感できる
募集職種
プロジェクトマネジメント
プロセス技術研究者
研究開発(R&D)
仕事内容
車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発(基礎研究)ポジションです。 2030年に向け次世代パワー半導体・インバータコンセプトの検討、パワー半導体の新構造、実装プロセス技術の開発等の研究開発をお任せします。入社後は、ご経験に応じた業務を担当していただきます。将来的にはリーダーとしてメンバーをまとめるキャリアパスを描いていただく予定です。
勤務地
給与
(注)経験・能力などを考慮の上、決定いたします。
[賃金改定]年1回 6月改定
[賞与]年2回 6月、12月支給
勤務時間
休日休暇
年間休日126日(2026年度)
完全週休2日制、祝日、5月連休、夏季、年末年始 など
【休暇】
年次有給休暇(初年度22日、次年度以降24日)、結婚休暇、配偶者出産休暇、勤続休暇、積立休暇、看護休暇、介護休暇 など
福利厚生
・財形貯蓄、社員持株会、共済会(加入必須(個人負担あり)
・保養所、各種体育施設、各事業所内診療所診療所 など
・自己啓発・リフレッシュ支援制度
・休職制度(育児、介護)、就業時間短縮制度(育児、介護)、Location Flexible勤務制度(サテライト勤務、在宅勤務)