【藤沢】デバイスエンジニア※年休130日／就業環境◎／半導体メモリの企業

デバイス開発エンジニア

メモリデバイス

前工程プロセス開発

【藤沢】デバイスエンジニア※年休130日／就業環境◎／半導体メモリの企業

【シリコンバレー発「フラッシュメモリ」の開発の企業／半導体企業である当社のメモリ製品は世界シェア上位】

■業務内容
3D NANDの製品・技術開発を担当頂きます。

主に四日市の開発ラインで作られたウェハのメモリセル、およびそれを駆動する周辺回路やトランジスタを電気的に測定・解析し、プロセス開発、製品の性能・信頼性向上のための技術開発を行います。

国内、海外他拠点を含むプロセス、テスト、設計等のチームとも仕事を分担して、共同で開発を行います。

■具体的な業務内容
下記業務をチームで分担します。

Cell Device:
- 次世代フラッシュメモリ評価。特にセルアレイ動作電圧/タイミングの最適化と信頼性評価 　　 　
- セルアレイ特性評価結果に基づいた製造プロセス改善への貢献
- セルアレイ特性の量産ばらつきに関する統計的解析
- セルアレイ特性評価テストプログラムの開発
- 初期故障（DPPM）改善のためのスクリーニング・テストの開発
- 電気的手法による故障解析
- 上記に関する海外拠点との協業
- 製品化のステアリング

CMOS Device:
-次世代CMOS (トランジスタおよび受動素子)の電気的評価・解析
-次世代CMOS開発用TEG設計・Design Rule策定
-量産移管に向けたCMOS特性改善(信頼性改善、ばらつき改善など)
-CMOS起因の製品歩留改善のための電気的評価、Spotfire等を用いた統計データ解析
-DPPM(顧客・市場不良率)改善のためのスクリーニング・ストレステストの開発
-後工程拠点(海外)と前工程工場(国内)とのインターフェース業務

■当社で半導体エンジニアとして働く魅力
・本社がシリコンバレーにあるため、世界の半導体に関する最先端の情報を、いち早く入手し、開発に生かすことができます。最先端の技術を活用し、時代をリードする最先端の製品開発を行うことが可能です。
・比較的業務の幅、裁量が広く、技術の提案等を行うことができます。狭い範囲の決められた仕事をこなすのではないため、技術者としてのレベルアップを図りやすい環境が整っています。

変更の範囲：会社の定める業務