【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本

ASIC/SoC設計

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

【SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発】◆在宅勤務可◆三菱電機G＃熊本

【SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当／在宅勤務可】

■業務内容：
・SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当。
・プロセスインテグレーション開発部門と連携しながら、次世代SiCデバイスのコア技術を構築する。

■業務詳細
SiCパワーデバイスの次世代プロセス開発として、
イオン注入工程または拡散工程のプロセス条件構築、評価、改善を担当いただきます。
（1） 既設装置を用いた評価・データ分析
a) 既存のイオン注入装置・拡散炉を用いた試作評価
b) 電気特性、プロセスデータ、不良解析結果などの整理・分析
c) 評価結果に基づく課題抽出、プロセス条件の改善検討
（2） 新規装置・新規プロセスの立ち上げ
a) 新規イオン注入装置・拡散炉の装置仕様確認、搬入、立ち上げ対応
b) 装置メーカーや社内関連部門と連携した条件出し、評価、量産適用検証
c) 安定稼働に向けた作業手順、管理項目、工程条件の整備
（3） 次世代SiCデバイス向けウエハプロセス開発
a) 次世代SiCデバイスに求められるイオン注入工程・拡散工程のプロセス条件構築
b) デバイス特性向上、歩留まり改善、量産性向上に向けたプロセス最適化
c) プロセスインテグレーション開発部門や製造部門と連携した課題解決、開発テーマの推進

入社後は、既存プロセスの評価・分析や新規装置立ち上げを通じて工程理解を深めていただき、将来的には担当工程のプロセス開発を主体的に推進し、次世代SiCパワーデバイスの実用化・量産化に貢献いただくことを期待しています。

■業務のやりがい、魅力
パワーデバイスはエアコン・自動車などの身近な製品から電力・電鉄などのインフラまで幅広い分野に利用されており、省エネによる地球温暖化ストップに貢献できる職務です。当社のSiCデバイスは業界トップクラスの性能を有し、世界トップクラスの性能に挑戦することができます。デバイスを考慮したウエハプロセス開発を通じてウエハプロセスだけでなくデバイスに関わるスキルも身につきます。

変更の範囲：会社の定める業務※業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります