AT-D3【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）

Smart Overview

半導体業界の最前線で、GaNおよびSiC技術を駆使した新たな挑戦が待っています。特に、GaNパワーデバイスの開発においては、先進的な製品とプロセスの構築が求められ、早期の立ち上げと高性能化を目指します。そして、次世代SiCデバイスの設計やプロセス開発を行い、業界をリードする人材を求めています。あなたの専門知識と技術を活かして、最先端の半導体製品開発に貢献しませんか。

【おすすめポイント】
・GaNおよびSiC関連技術の最前線での活躍。
・次世代デバイスの設計やプロセス開発に関与。
・先進的な製品開発で業界の未来を切り拓くチャンス。

募集職種

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

材料開発エンジニア

仕事内容

その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。
また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

求めている人材

【必須】
・半導体デバイスのプロセスインテグレーション、ユニットプロセス関連または、デバイス開発の実務経験をお持ちの方

勤務地

671-1595  兵庫県揖保郡太子町鵤３００ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　姫路半導体工場

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：００～１６：４５（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ