AT-P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

Smart Overview

半導体業界の最前線で活躍するチャンス！当社では、200mmウェハ対応の生産ラインを新たに増強し、MOSFETやIGBTの製造能力を向上させています。革新的な技術を用いて、次世代の半導体デバイスを支え、業界の成長に貢献する一員としての役割を果たせる環境が整っています。高い技術力を身につけ、自己成長を図れるこの機会をお見逃しなく、魅力ある職場で共に未来を切り拓きましょう。

【おすすめポイント】
・新設の200mmウェハ対応生産ラインでの勤務
・高性能デバイスの生産に関わるチャンス
・技術力向上を図れる成長環境

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

パワーデバイス

仕事内容

当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。

求めている人材

MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。

勤務地

923-1293  石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社　加賀分室

給与

年収 450万円 〜 1200万円

勤務時間

８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分）
※平均残業時間：２０ｈ程度
※会社／事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり

休日休暇

年間休日127日（2023年度）、週休2日制（土・日）、祝日、年末年始、特別休日

福利厚生

寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり

会社概要

東芝デバイス＆ストレージ