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掲載中 応募受付中 掲載日: 2026年8月28日

ルネサス エレクトロニクス株式会社

Product Development Engineer for Discrete Power

ASIC/SoC設計デジタルIC設計パワーデバイス
想定年収 年収700万~1000万円、年収500万~700万円、年収300万~500万円
勤務地 その他

Smart Overview

半導体業界の重要な役割を担うDiscrete PowerのProduct Development Engineer募集中!あなたには新製品の開発や改善を通して、製品リリースまでの効率化を図り、業界におけるイノベーションを推進していただきます。MOSFETや関連デバイスの専門知識、効果的な開発戦略を駆使し、急成長する市場で競争力を持たせる製品を生み出す意欲ある方を歓迎します。

【おすすめポイント】
・MOSFETの新製品開発や生産性向上に挑戦するダイナミックな職務
・国際的なチームでのコラボレーションを通じて技術スキルが磨かれる
・企業文化が「透明性」「迅速性」を重視し、成長機会が豊富

募集職種

ASIC/SoC設計

デジタルIC設計

パワーデバイス

仕事内容

Job Description



AIデータセンタの需要拡大に伴い、タイムリーに製品リリースする事で売り上げの増大が期待できます。現在、ディスクリートパワー製品開発部門では、プロダクトエンジニアリソースが不足しており、タイムリーな製品リリースの障害になります。その為、プロダクトエンジニアソースを増強して、短期間にリリース出来る製品数を強化し、売り上げ拡大を図ります。

・ディスクリートパワーデバイス(MOSFET)の新製品開発

・各拠点の費用見積りを取得し、量産拠点の選定

・製品開発スケジュールの立案、開発費用見積もりとDCPによる認可

・量産拠点でのウエハ、組み立てなどの試作業務

・信頼性試験の実施と不良解析

・既存プロセスを使用したレイアウトデザイン

・製品の特性評価と、量産妥当性の検証

・既存量産品に対するPCN推進



Qualifications


ICもしくは、ディスクリートパワー製品の開発の経験があること
半導体のウエハプロセス、組み立ての知識を有していること
半導体の信頼性試験の知識と経験があること。英語でコミュニケーションをとることができる
言語レベル 英語:日常会話レベル以上(TOEIC 600) 日本語:ビジネスレベル以上(JLPT N2)


Company Description



 

 



Additional Information



ルネサスは、「To Make Our Lives Easier(人々の暮らしをより豊かで快適にする)」というPurposeのもと、組込み半導体ソリューションを提供するグローバル企業です。世界30か国以上で活躍する21,000人を超えるエンジニアや課題解決のプロフェッショナルとともに、自動車、産業、インフラ、IoT分野における世界最先端のテクノロジー開発に携わり、より安全で、健康的で、環境にやさしく、スマートな未来の実現に貢献しています。 

 

ルネサスでは、「TAGIE(Transparent、Agile、Global、Innovative、Entrepreneurial)」を企業文化の中核としています。TAGIEは、私たちの働き方や成長のあり方、そしてPurposeの実現に向けた取り組みを支える共通の価値観です。この協調的な精神と挑戦するマインドセットが、半導体技術を通じた産業の変革と、世界中の人々の暮らしへの貢献を可能にしています。 

 

私たちは、競争力のある報酬制度に加え、充実した福利厚生をご用意しています。福利厚生の詳細については、選考プロセスの中でご案内いたします。 

 

私たちとともに未来を創造する挑戦に、ぜひ参加しませんか。皆さまからのご応募をお待ちしております。

勤務地

勤務地

高崎市

会社概要

ルネサス エレクトロニクス株式会社