電動車向けGaNパワー半導体素子のプロセス開発

Smart Overview

半導体業界の注目職種！当社では、高効率かつ低損失なGaN-HEMTデバイスの発展に向けたプロジェクトに参加するエンジニアを募集しています。車載用途の電源回路設計において、GaN-HEMTに特化した回路技術の構築や、デバイス性能向上を目指す新しいアプローチを提供することが求められます。これにより、次世代の電動車両の実現を支える重要な役割を担い、業界の先端を行くチャンスを掴めます。新たなテクノロジーと共に成長し、革新的な未来を築く一員として活躍してください。

【おすすめポイント】
・次世代車載用GaN-HEMT技術を駆使したプロジェクトに参加できる。
・新しいアプローチでデバイス性能向上に挑む挑戦的な役割。
・電動車両の未来を支える重要なプロジェクトでの成長機会。

募集職種

RF（高周波）IC設計

その他

パワーデバイス

仕事内容

電動車用車載充電器他向け高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発業務具体的には、以下の業務に携わっていただきます。・車載用GaN-HEMTデバイス構造を実現するために必要なユニットプロセスの開発・上記ユニットプロセスを組み合わせてトータルプロセスフローの構築・デバイス性能向上やコスト改善するプロセスの開発

求めている人材

＜MUST要件＞半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験をお持ちの方　※パワー半導体の経験有無は問いません＜WANT要件＞以下いずれかのご経験をお持ちの方・パワー半導体に関する知識をお持ちの方・半導体プロセスインテグレーションの知識をお持ちの方・プロジェクトマネージャーまたはプロジェクトリーダーの経験

勤務地

愛知 ＞広瀬製作所（愛知県豊田市）

会社概要

株式会社デンソー