パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計

その他デバイス開発エンジニア生産技術エンジニア

想定年収年収500万～700万円、年収300万～500万円、年収300万円未満

勤務地その他

Smart Overview

半導体業界におけるSiC準備室では、最新のプログラム開発に取り組んでいます。これにより、高い成長を期待できる環境の中、半導体分野での製品設計や生産技術開発に携わるチャンスがあります。チームメンバーは、自己成長を促進しつつ、革新を通じて優れた技術力を身に付けることが可能です。業界経験を活かし、次世代の製品を共に創造する仲間を募集中です。具体的なスキルを駆使し、挑戦的なミッションに取り組む意欲的な方をお待ちしています。

【おすすめポイント】
・SiC技術に特化した革新的な開発環境
・自己成長とキャリアアップをサポートする職場文化
・チームでの協力を重視し、共同での成果を追求する体制

募集職種

その他

デバイス開発エンジニア

生産技術エンジニア

仕事内容

【組織ミッション】SiC準備室は24年4月に新たに発足した部署であり、パワー半導体(SiC)に関わるプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を進めており、社内から高い期待が寄せられています。慣習や年齢、役職にとらわれず一人ひとりが能力を発揮できる組織風土です。【】パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発具体的には以下のいずれかの業務に携わっていただきます。・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計・単結晶製造設備制御技術開発・ウェハ製造のための、生産技術開発・ウェハ製造に関わる設備設計及び工程設計・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝・開発技術の権利化【業務のやりがい・魅力】✓ 要素技術開発から製品、設備、工程設計までの一気通貫で多岐な業務を経験できます✓ 自分の作ったものが顧客・社会課題解決に貢献しているというやりがいが感じられます✓ システム、素子設計部署との連携を通じて、半導体分野の幅広い知識、技術のスキルアップができます✓ 国内外の拠点を活用したグローバルな事業を牽引することができます✓ 社内外の専門家との連携を通じて、自身の専門性を向上させることができます

求めている人材

＜MUST要件＞・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ　以下いずれかのご経験をお持ちの方・半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方・無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方・半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方＜WANT要件＞下記のいずれかの知識・経験を有している方・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識・パワー半導体材料、単結晶に関する知識・技術開発における推進リーダ経験・海外企業との折衝経験・語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）

勤務地

三重＞大安製作所（三重県いなべ市）

会社概要

株式会社デンソー