【茨城／在宅可】GaN基板の前工程プロセス開発エンジニア※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み

デバイス開発エンジニア

前工程プロセス開発

材料開発エンジニア

【茨城／在宅可】GaN基板の前工程プロセス開発エンジニア※同意のない転勤無／引越費用負担／土日祝休み

【業界最大手の総合化学メーカー／高年収帯企業／同意のない転勤無し／引越費用負担／フルフレックス／就業環境◎】

◆業務概要：
次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。

本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。

＜担当業務項目＞
◇プロセス開発・条件最適化
GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。
◇評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
◇化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発

◆ポジション魅力：
・世界を変える技術の最前線に立つ
　GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。
・「作る技術」をゼロから確立する面白さ
出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、量産技術を創り上げていく醍醐味があります。

◆組織構成：
所属員11名/平均年齢 約49歳（管理職3名、E職1名、運転員5名＋派遣社員2名）
GaN組織は他社からのキャリア採用者も多く、多様なバックグラウンドのメンバーが在籍。本ポジションは技術継承と次世代育成の中核を担っていただく想定。

◆就業環境について：
・出張：頻繁ではないが有（国内外）
・テレワーク：週1
・残業：平均40時間程度（個人差あり、概ね30～40時間台）。繁忙の大きな波は少なめ。


変更の範囲：会社の定める職務