【年休125日/転勤無】MBEエピタキシャル成長エンジニア／半導体デバイスメーカー／自社FAB

Smart Overview

半導体業界でのキャリアを築くチャンス！MBEおよびMOCVD装置を用いた半導体成長プロセスに関与し、技術革新に貢献しませんか？主な業務では、装置の運用やプロセス改善、材料管理といった多彩な業務を行います。特に、プロセスの最適化や工程の改善において自己の判断が求められ、充実感ある仕事が実現可能です。また、協力的なチーム環境の中で、新たな技術の習得やキャリアの成長が見込まれます。半導体の最前線で活躍するための絶好の機会です。

【おすすめポイント】
・MBEおよびMOCVD装置の運用経験を積むことが可能。
・自己の判断でプロセス改善に携わる充実感。
・協力的なチームで新技術を学ぶ機会が豊富。

募集職種

デバイス開発エンジニア

前工程プロセス開発

成膜装置

仕事内容

【年休125日/転勤無】MBEエピタキシャル成長エンジニア／半導体デバイスメーカー／自社FAB

～年間休日125日/転勤無/平均勤続年数20年以上～

【業務内容】
化合物半導体デバイス向けに MBE装置を用いたエピタキシャル成長プロセスを自社内で担っており、MOCVD装置の導入も検討中です。本ポジションではその中核となる成長工程の開発を担当いただきます。

大規模メーカーのように工程が細分化されておらず、
MBE装置の運用、条件出し、膜評価、プロセス改善、デバイス加工、評価までを一連で経験できる点が特徴です。
単なるオペレーションではなく、「なぜこの条件でこの結果になるのか」を考えながら、装置・材料・成長条件に向き合う環境があります。

一方で、いきなりすべてを一人で任せることはなく、
既存メンバーと連携しながら、段階的に担当範囲を広げていただきます。

・MBE装置やMOCVD装置を用いたエピタキシャル成長プロセスの運用・条件出し
・成長膜の基礎評価
・開発テーマ・量産プロセスにおける条件最適化、再現性改善
・不具合発生時の要因切り分け・プロセス改善
・装置メンテナンス、材料管理、プロセスデータ整理　等

変更の範囲：会社の定める業務

求めている人材

＜最終学歴＞大学院、大学、高等専門学校卒以上

＜応募資格/応募条件＞
【いずれも必須】
・半導体プロセス、材料、物性の基礎的な知識
・エピタキシャル成長プロセスに関わった経験
・装置を用いた実験・条件検討の実務経験

【歓迎】
・MBE装置やMOCVD装置を用いた業務経験

＜年齢制限＞
60歳未満
定年年齢を上限とした募集のため

勤務地

＜勤務地詳細＞
本社
住所：山梨県甲府市大里町465
勤務地最寄駅：JR身延線／国母駅
受動喫煙対策：敷地内全面禁煙
変更の範囲：会社の定める事業所

＜転勤＞
無

給与

＜予定年収＞
600万円～900万円

＜賃金形態＞
日給月給制

＜賃金内訳＞
月額（基本給）：330,000円～550,000円/月20日間勤務想定

＜想定月額＞
330,000円～550,000円

＜昇給有無＞
有

＜残業手当＞
有

＜給与補足＞
年収は経験・能力に応じて決定します。賞与年2回（6月・12月）あり。

賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。
月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

勤務時間

＜勤務時間＞
8:30～17:15 （所定労働時間：7時間50分）
休憩時間：55分（11:55～12:50）
時間外労働有無：有
＜その他就業時間補足＞
平均残業15時間

休日休暇

完全週休2日制（休日は土日祝日）
年間有給休暇3日～25日（下限日数は、入社直後の付与日数となります）
年間休日日数125日

長期連休（年末年始・GW・夏季）、慶弔・看護・介護休暇・リフレッシュ休暇

福利厚生

通勤手当、家族手当、住宅手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度

＜各手当・制度補足＞
通勤手当：補足事項なし
家族手当：補足事項なし
住宅手当：補足事項なし
社会保険：補足事項なし
退職金制度：補足事項なし

＜定年＞
60歳
再雇用制度有

＜育休取得実績＞
有（育休後復帰率100%）

＜教育制度・資格補助補足＞
出産・育児支援制度、研修制度、資格取得支援あり

＜その他補足＞
社員食堂、出産・育児支援制度、慶弔休暇、看護・介護休暇、育児・介護休職、敷地内禁煙

会社概要

ＹＩＴＯＡマイクロテクノロジー株式会社